Memória SOT-MRAM com tungstênio atinge comutação de 1 nanossegundo

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Cientistas de Taiwan apresentaram um protótipo de memória magnética que combina alta velocidade, baixo consumo de energia e longa retenção de dados. O dispositivo, uma SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic Random Access Memory) baseada em tungstênio, foi descrito em artigo publicado na revista Nature Electronics.

A pesquisa foi conduzida por especialistas da National Yang Ming Chiao Tung University, em parceria com a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) e o Industrial Technology Research Institute. O objetivo era criar um componente capaz de operar em escala de nanossegundos sem sacrificar durabilidade nem compatibilidade com processos industriais já usados em semicondutores.

Por que o tungstênio?

O avanço depende do uso do tungstênio em sua β-fase, que apresenta forte acoplamento spin-órbita, essencial para gerar o torque responsável por inverter a magnetização da camada ferromagnética. Nos testes, a mudança de estado ocorreu em aproximadamente 1 nanossegundo, eliminando a necessidade de campos magnéticos externos e reduzindo o gasto energético.

Resultados obtidos

Com um chip de 64 kilobits, o grupo demonstrou:

  • Retenção de dados superior a dez anos;
  • Estabilidade térmica até 700 °C graças à β-fase do metal;
  • Ausência de ciclos de atualização, comuns em DRAM;
  • Total compatibilidade com técnicas de fabricação existentes.

Segundo o autor principal, Yen-Lin Huang, a nova arquitetura reúne a velocidade típica da DRAM e a não volatilidade da memória flash, mas com menor demanda de energia, atributo considerado estratégico para aplicações em computação de borda e inteligência artificial.

Próximos passos

Após validar o protótipo, a equipe planeja expandir a capacidade para megabits e reduzir ainda mais a energia consumida por bit, estudando óxidos alternativos e interfaces bidimensionais.

Se bem-sucedida, a tecnologia pode abrir caminho para memórias embarcadas e caches mais rápidas, duráveis e eficientes, atendendo às necessidades de dispositivos eletrônicos modernos.

Com informações de WizyThec

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